STP11N60DM2

STMicroelectronics
511-STP11N60DM2
STP11N60DM2

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
18 周 预计工厂生产时间。
最少: 1000   倍数: 1000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥6.3619 ¥6,361.90
¥6.0116 ¥12,023.20

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
10 A
370 mOhms
- 25 V, 25 V
5 V
16.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 9.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6.3 ns
系列: STP11N60DM2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 11.7 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99