STP130N6F7

STMicroelectronics
511-STP130N6F7
STP130N6F7

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥21.0971 ¥21.10
¥9.3451 ¥93.45
¥8.5993 ¥859.93
¥7.3902 ¥3,695.10
¥6.1585 ¥6,158.50
¥6.1359 ¥12,271.80
¥5.7517 ¥28,758.50
¥5.5144 ¥55,144.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
STripFET
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 44 ns
系列: STP130N6F7
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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