STP150N10F7AG

Name: STMicroelectronics STP150N10F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP150N10F7AG
Price: 34.92 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STP150N10F7AG

制造商编号：

STP150N10F7AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	110 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	117 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q100
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	33 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	57 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	72 ns
典型接通延迟时间:	33 ns
单位重量:	2 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.