STP18N60DM2

STMicroelectronics
511-STP18N60DM2
STP18N60DM2

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 1,195

库存:
1,195 可立即发货
生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1195的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥27.3799 ¥27.38
¥13.899 ¥138.99
¥12.5769 ¥1,257.69
¥10.2604 ¥5,130.20
¥9.1869 ¥9,186.90
¥9.0965 ¥90,965.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 32.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: STP18N60DM2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.5 ns
典型接通延迟时间: 13.5 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STx24N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh DM2 系列是意法半导体最新的快速恢复 二极管系列 600V 功率 MOSFET,特别适合 ZVS 相移桥 拓扑。它们具有非常小的恢复电荷和时间(Qrr, trr), 并有低 20% 的 RDS(on) (相比前一代产品)。高 dV/dt 强度(40V/ns),确保更高系统可靠性。
了解更多