STP18NM60N

STMicroelectronics
511-STP18NM60N
STP18NM60N

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
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STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
TO-220-3
- 55 C
+ 150 C
STP18NM60N
Tube
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 25 ns
Id-连续漏极电流: 13 A
安装风格: Through Hole
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 110 W
产品类型: MOSFETs
Qg-栅极电荷: 35 nC
Rds On-漏源导通电阻: 260 mOhms
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: Si
商标名: MDmesh
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
新加坡
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best RDS(on)*Qg in the industry.

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在途量:
2,000
预期 2027/5/28
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
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¥13.4809 ¥1,348.09
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¥11.6616 ¥11,661.60

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