STP33N60DM2

STMicroelectronics
511-STP33N60DM2
STP33N60DM2

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥29.1992 ¥29.20
¥19.6055 ¥196.06
¥18.193 ¥1,819.30
¥15.7974 ¥7,898.70
¥14.6448 ¥14,644.80
¥14.5544 ¥29,108.80

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: STP33N60DM2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STx24N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh DM2 系列是意法半导体最新的快速恢复 二极管系列 600V 功率 MOSFET，特别适合 ZVS 相移桥 拓扑。它们具有非常小的恢复电荷和时间(Qrr, trr)， 并有低 20% 的 RDS（on） （相比前一代产品）。高 dV/dt 强度（40V/ns），确保更高系统可靠性。
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