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现货

RoHS

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STP3N150

STMicroelectronics

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STP3N150

制造商编号：

STP3N150

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

完成您的设计

数据表:

STP3N150 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.5 kV
Id-连续漏极电流:	2.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	29.3 nC
最小工作温度:	- 50 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	140 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerMESH
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	61 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	47 ns
系列:	STP3N150
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	45 ns
典型接通延迟时间:	24 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STP3N150 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

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库存量: 2,713

库存：: 2,713 可立即发货

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生产周期：: 26 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥53.9349	¥53.93
	¥29.4478	¥294.48
	¥26.9618	¥2,696.18
	¥24.8939	¥12,446.95
	¥22.9164	¥22,916.40
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