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STP45N10F7

Name: STMicroelectronics STP45N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP45N10F7
Price: 14.49 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STP45N10F7

制造商编号：

STP45N10F7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A

完成您的设计

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

STP45N10F7 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥16.3737	¥16.37
	¥7.91	¥79.10
	¥7.0738	¥707.38
	¥5.6161	¥2,808.05
	¥5.537	¥5,537.00
	¥5.1754	¥10,350.80
	¥5.0172	¥25,086.00
	¥4.9155	¥49,155.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	45 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	25 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	60 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17 ns
系列:	STP45N10F7
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STP45N10F7 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-3-27 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

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STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.