STP50N60DM6

Name: STMicroelectronics STP50N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP50N60DM6
Price: 54.68 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STP50N60DM6

制造商编号：

STP50N60DM6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	36 A
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.75 V
Qg-栅极电荷:	55 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
单位重量:	2 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6功率MOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6功率MOSFET是一款高电压N沟道功率MOSFET，具有极高的dv/dt耐受性。该功率MOSFET是一款快速恢复体二极管，具有齐纳保护功能，100%经过雪崩测试。STP50N60DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低电阻以及更低的单位面积R_DS(on)（与上一代产品相比）。该MOSFET具有极低恢复电荷 (Q_rr)、超短恢复时间 (t_rr) 和出色的单位面积 R_DS(on)以及最有效的开关特性之一。STP50N60DM6 MDmesh DM6功率MOSFET非常适合用于开关应用。