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STP65N150M9

Name: STMicroelectronics STP65N150M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N150M9
Price: 33.82 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STP65N150M9

制造商编号：

STP65N150M9

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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数据表:

STP65N150M9 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.2 V
Qg-栅极电荷:	32 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	140 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	10 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns
系列:	MDmesh M9
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	12 ns
单位重量:	2 g

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Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术，具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度，从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。

STP65N150M9功率MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9功率MOSFET基于超级结MDmesh M9技术。该器件适合用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积R_DS(on)。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，实现了增强型器件结构。组装的产品在所有硅基快速开关超级结功率MOSFET中具有低导通电阻和低栅极电荷值。因此，该器件非常适合用于需要出色功率密度和出色效率的应用。