STP7LN80K5

STMicroelectronics
511-STP7LN80K5
STP7LN80K5

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.4927 ¥23.49
¥11.8311 ¥118.31
¥10.6672 ¥1,066.72
¥8.5993 ¥4,299.65
¥7.7631 ¥7,763.10

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5 A
1.15 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 17.4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6.7 ns
系列: STP7LN80K5
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23.6 ns
典型接通延迟时间: 9.3 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperMESH™ 高压 MOSFET

意法半导体 齐纳保护 SuperMESH™ 功率 MOSFETs 是对标准带式 PowerMESH™ 布线的终极优化。 意法半导体 SuperMESH MOSFET 大幅压低了导通电阻，同时为要求最高的应用确保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的栅极电荷，并100% 通过雪崩测试，同时还改进了 ESD 功能，并具有新的高压基准。这些意法半导体 MOSFET 可用于开关应用。
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