STP8N120K5

STMicroelectronics
511-STP8N120K5
STP8N120K5

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STP8N120K5详情

库存量: 520

库存：
520 可立即发货
生产周期：
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥47.6408 ¥47.64
¥38.1375 ¥381.38
¥30.849 ¥3,084.90
¥27.6285 ¥13,814.25
¥23.4927 ¥23,492.70

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
6 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13.7 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 27 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: STP8N120K5
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 15.5 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SuperMESH™ 高压 MOSFET

意法半导体 齐纳保护 SuperMESH™ 功率 MOSFETs 是对标准带式 PowerMESH™ 布线的终极优化。 意法半导体 SuperMESH MOSFET 大幅压低了导通电阻，同时为要求最高的应用确保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的栅极电荷，并100% 通过雪崩测试，同时还改进了 ESD 功能，并具有新的高压基准。这些意法半导体 MOSFET 可用于开关应用。
了解更多

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。