Name: STMicroelectronics STPSC10H065DI
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC10H065DI
Price: 34.92 RMB
Availability: InStock

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥39.4596	¥39.46
	¥20.3513	¥203.51
	¥18.4416	¥1,844.16
	¥15.2211	¥7,610.55
	¥14.803	¥14,803.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220AC-2
配置:	Single
If - 正向电流:	22 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.98 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	90 A
Ir - 反向电流 :	85 uA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STPSC
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	1000
子类别:	Diodes & Rectifiers
单位重量:	2.300 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STPSC10H065DI 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料，可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构，在关闭时不会显示恢复，且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用，它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。

STPSC萧特基碳化硅二极管

STMicroelectronics萧特基碳化硅二极管利用SiC优于标准硅的卓越物理特性，提供高出4倍的动态特性并降低15%的正向电压 (VF) 。ST的碳化硅二极管拥有低反向恢复特性，因此成为了SMPS应用和其他新兴领域的关键节能因素。这些领域包括太阳能转换、EV或HEV充电站，以及焊接设备和空调等应用。STMicroelectronics SiC产品组合在原有的4至12安培通孔和SMD封装产品阵容中，加入了20A、600V二极管，采用不含卤素的TO-247封装。另外亦提供下一代6A、1200V器件及650V系列。

标准产品

STMicroelectronics标准产品是各种行业标准器件和可直接替换器件，适用于广泛使用的通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。这些标准产品按照最高质量标准生产，其中有许多产品都符合汽车应用类AECQ标准。还可提供一套全面的设计辅助工具，包括SPICE、IBIS模型和仿真工具，从而简化设计过程。