STPSC30G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC30G12WL
STPSC30G12WL

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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库存量: 5

库存:
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本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥140.6172 ¥140.62
¥79.326 ¥793.26
¥71.7098 ¥7,170.98

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
DO-247-2
Single
30 A
1.2 kV
1.35 V
250 A
15 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 600
子类别: Diodes & Rectifiers
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

标准产品

STMicroelectronics标准产品是各种行业标准器件和可直接替换器件,适用于广泛使用的通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。这些标准产品按照最高质量标准生产,其中有许多产品都符合汽车应用类AECQ标准。还可提供一套全面的设计辅助工具,包括SPICE、IBIS模型和仿真工具,从而简化设计过程。

STPSC30G12碳化硅功率肖特基二极管

STMicroelectronics   STPSC30G12碳化硅功率肖基特二极管采用DO-247封装,具有长引线。STMicroelectronics   STPSC30G12是一款超高 性能功率肖特基整流器采用碳化硅基板制造。 宽带隙材料支持设计具有 额定电压为1200V的低VF肖基特结构二极管。 得益于肖特基构造,关断期间不会显示恢复,振铃模式可忽略不计。最小电容关断行为,与温度无关 。