STQ2NK60ZR-AP

STMicroelectronics
511-STQ2NK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP

制造商:

说明:
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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库存量: 94

库存:
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥10.509 ¥10.51
¥6.4749 ¥64.75
¥4.2601 ¥426.01
¥3.3448 ¥1,672.40
¥2.9832 ¥2,983.20
整卷弹药盒(请按2000的倍数订购)
¥2.5312 ¥5,062.40
¥2.3165 ¥9,266.00
¥2.2148 ¥22,148.00
¥2.147 ¥51,528.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel
1 Channel
600 V
400 mA
8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Ammo Pack
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 30 ns
系列: STQ2NK60ZR-AP
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
单位重量: 453.600 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。