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STU2N95K5

Name: STMicroelectronics STU2N95K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU2N95K5
Price: 14.64 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STU2N95K5

制造商编号：

STU2N95K5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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STU2N95K5 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥16.5432	¥16.54
	¥8.4411	¥84.41
	¥6.8252	¥682.52
	¥5.6613	¥2,830.65
	¥5.0285	¥5,028.50
	¥4.0567	¥12,170.10
	¥4.0002	¥36,001.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	950 V
Id-连续漏极电流:	2 A
Rds On-漏源导通电阻:	5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	10 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	45 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperMESH
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	32.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13.5 ns
系列:	STU2N95K5
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20.5 ns
典型接通延迟时间:	8.5 ns
单位重量:	340 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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