STU6N60M2

STMicroelectronics
511-STU6N60M2
STU6N60M2

制造商：

说明：
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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数量 单价
总价
¥19.1874 ¥19.19
¥12.0797 ¥120.80
¥7.8987 ¥789.87
¥6.2715 ¥3,135.75
¥5.7517 ¥5,751.70
¥4.8816 ¥14,644.80
¥4.7121 ¥42,408.90

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
650 V
4.5 A
1.2 Ohms
- 25 V, 25 V
3 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 22.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.4 ns
系列: STU6N60M2
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 9.5 ns
单位重量: 340 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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