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STU9N60M2

Name: STMicroelectronics STU9N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU9N60M2
Price: 14.57 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STU9N60M2

制造商编号：

STU9N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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数据表:

STU9N60M2 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	5.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	780 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	10 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	60 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	13.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7.5 ns
系列:	STU9N60M2
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	22 ns
典型接通延迟时间:	8.8 ns
单位重量:	340 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

STU9N60M2 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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