STW18N60DM2

STMicroelectronics
511-STW18N60DM2
STW18N60DM2

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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库存量: 718

库存:
718 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于718的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥30.6908 ¥30.69
¥16.7918 ¥167.92
¥13.7295 ¥1,372.95
¥13.4018 ¥8,041.08
¥12.4865 ¥14,983.80
¥12.0797 ¥36,239.10
¥11.6616 ¥62,972.64

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 32.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: STW18N60DM2
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.5 ns
典型接通延迟时间: 13.5 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
新加坡
发货时,国家/地区可能会发生变化。

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