STW70N60DM6

Name: STMicroelectronics STW70N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW70N60DM6
Price: 32.79 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STW70N60DM6

制造商编号：

STW70N60DM6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	62 A
Rds On-漏源导通电阻:	42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.25 V
Qg-栅极电荷:	99 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	390 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	DM6
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
单位重量:	6 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET优化用于ZVS、全桥和半桥拓扑。MDmesh DM6功率MOSFET具有600V击穿电压，将经优化的电容曲线和终身破坏工艺相结合。MDmesh DM6 MOSFET具有低栅极电荷 (Q_g)、非常低的恢复电荷 (Q_rr)、较短恢复时间 (t_rr) 以及出色的每区域R_DS(on)。