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STW78N65M5

Name: STMicroelectronics STW78N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW78N65M5
Price: 109.43 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STW78N65M5

制造商编号：

STW78N65M5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)

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数据表:

STW78N65M5 数据表 (PDF)

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	¥69.7323	¥697.32
	¥67.3254	¥6,732.54

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	69 A
Rds On-漏源导通电阻:	24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	203 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	450 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q100
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	14 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	14 ns
系列:	Mdmesh M5
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STW78N65M5 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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