您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

STW88N65M5

Name: STMicroelectronics STW88N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW88N65M5
Price: 126.34 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STW88N65M5

制造商编号：

STW88N65M5

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

完成您的设计

数据表:

STW88N65M5 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics STW88N65M5详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	84 A
Rds On-漏源导通电阻:	29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	204 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	450 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	Mdmesh M5
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	6 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STW88N65M5 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 意大利
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N-通道 MDmesh™ V 功率 MOSFET

意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 依赖 MDmesh™ V 与基于创新专有垂直工艺的开创性功率 MOSFET 技术，并结合了意法半导体著名的 PowerMESH™ 水平布局结构。意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻，在硅基功率 MOSFET 中无以匹敌，使其特别适合需要出色功率密度和超高效率的应用。
了解更多

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。