TSM60NE110CE RVG

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Mouser编号：

821-TSM60NE110CERVG

制造商编号：

TSM60NE110CE RVG

制造商：

Taiwan Semiconductor

说明：

MOSFET 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage MOSFET, PDFN88

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Taiwan Semiconductor
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
商标:	Taiwan Semiconductor
通道模式:	Enhancement
配置:	Single
下降时间:	19 ns
Id-连续漏极电流:	27 A
最大工作温度:	+ 150 C
最小工作温度:	- 55 C
通道数量:	1 Channel
封装 / 箱体:	PDFN88-4
封装:	Reel
Pd-功率耗散:	178 W
产品类型:	MOSFETs
Qg-栅极电荷:	56 nC
资格:	AEC-Q101
Rds On-漏源导通电阻:	110 mOhms
上升时间:	72 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	Si
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	57 ns
典型接通延迟时间:	37 ns
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6 V
零件号别名:	TSM60NE110CE
单位重量:	200 mg

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合规代码

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.