CSD16406Q3

Texas Instruments
595-CSD16406Q3
CSD16406Q3

制造商:

说明:
MOSFET N-Ch NexFET Power MO SFETs

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 10,897

库存:
10,897 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥14.3058 ¥14.31
¥9.0965 ¥90.97
¥6.0681 ¥606.81
¥4.6895 ¥2,344.75
¥4.3505 ¥4,350.50
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥4.3392 ¥10,848.00
¥4.0002 ¥20,001.00
¥3.9211 ¥98,027.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
25 V
60 A
5.3 mOhms
- 12 V, 16 V
1.4 V
5.8 nC
- 55 C
+ 150 C
46 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 4.8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 12.9 ns
系列: CSD16406Q3
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 8.5 ns
典型接通延迟时间: 7.3 ns
单位重量: 43.700 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩,采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFETPower MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷,以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻,只需极低的栅极电荷,且需要采用行业标准封装外形,这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。