CSD17484F4

Texas Instruments
595-CSD17484F4
CSD17484F4

制造商:

说明:
MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T

ECAD模型:
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供货情况

库存:
0

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在途量:
27,000
预期 2026/3/26
生产周期:
12
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥3.4691 ¥3.47
¥2.4069 ¥24.07
¥1.5029 ¥150.29
¥1.017 ¥508.50
¥0.90174 ¥901.74
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥0.79439 ¥2,383.17
¥0.678 ¥4,068.00
¥0.60342 ¥5,430.78
¥0.49607 ¥11,905.68
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
30 V
3 A
128 mOhms
- 12 V, 12 V
650 mV
920 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 4 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 1 ns
系列: CSD17484F4
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
单位重量: 0.400 mg
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积(0402 外壳尺寸),并有超低电阻(与竞争产品相比低 70%)。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格,并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量,使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗,提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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