CSD17579Q3A

Name: Texas Instruments CSD17579Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17579Q3A
Price: 6.81 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

595-CSD17579Q3A

制造商编号：

CSD17579Q3A

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17579 A 595-CSD17579Q3AT

数据表:

CSD17579Q3A 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥7.6953	¥7.70
	¥4.7912	¥47.91
	¥3.1075	¥310.75
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥3.1075	¥7,768.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD17579Q3AT

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥16.4641

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD17579Q3AT

说明：

MOSFET 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	39 A
Rds On-漏源导通电阻:	10.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.1 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	29 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	CN
扩散国家:	CN
原产国:	CN
开发套件:	TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
下降时间:	1 ns
正向跨导 - 最小值:	37 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns
系列:	CSD17579Q3A
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	2 ns
单位重量:	27.300 mg