CSD17585F5T

Texas Instruments
595-CSD17585F5T
CSD17585F5T

制造商：

说明：
MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
30 V
5.9 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
900 mV
5.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 7 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4 ns
系列: CSD17585F5
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
单位重量: 0.700 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

SPICE Models

Technical Resources

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
中国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积（0402 外壳尺寸），并有超低电阻（与竞争产品相比低 70%）。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格，并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量，使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗，提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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库存量: 109

库存：
109
可立即发货
在途量:
1,250
预期 2026/9/3
2,250
1,500
预期 2026/9/14
750
预期 2026/10/13
生产周期：
9
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥13.4018 ¥13.40
¥6.3393 ¥63.39
¥4.8929 ¥489.29
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥4.8929 ¥1,223.23
¥4.181 ¥2,090.50
¥4.1245 ¥10,311.25
¥3.8646 ¥19,323.00
¥3.7968 ¥37,968.00
¥3.5369 ¥88,422.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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