CSD18541F5T

Texas Instruments
595-CSD18541F5T
CSD18541F5T

制造商：

说明：
MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5

数据表:
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库存量: 2,390

库存：
2,390 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥12.2379 ¥12.24
¥7.7292 ¥77.29
¥4.4635 ¥446.35
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥4.4635 ¥1,115.88
¥3.8081 ¥1,904.05
¥3.4126 ¥3,412.60
¥3.277 ¥8,192.50
¥2.9719 ¥14,859.50
¥2.8589 ¥28,589.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
CSD18541F5
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥4.1358
最小:
1

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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
60 V
2.2 A
65 mOhms
- 20 V, 20 V
1.75 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 496 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 540 ns
系列: CSD18541F5
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 1076 ns
典型接通延迟时间: 572 ns
单位重量: 0.700 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Models

PCN

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积（0402 外壳尺寸），并有超低电阻（与竞争产品相比低 70%）。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格，并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量，使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗，提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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