CSD19531KCS

Texas Instruments
595-CSD19531KCS
CSD19531KCS

制造商：

说明：
MOSFET 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

数据表:
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¥-.--
总价:
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数量 单价
总价
¥22.4983 ¥22.50
¥12.3283 ¥123.28

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
7.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
NexFET
Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 4.1 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.2 ns
系列: CSD19531KCS
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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