CSD19531KCS

Texas Instruments
595-CSD19531KCS
CSD19531KCS

制造商:

说明:
MOSFET 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

ECAD模型:
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库存量: 896

库存:
896 可立即发货
生产周期:
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本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.0802 ¥22.08
¥10.9158 ¥109.16
¥9.7632 ¥976.32
¥7.8535 ¥3,926.75
¥7.3563 ¥7,356.30

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
7.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
NexFET
Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 4.1 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.2 ns
系列: CSD19531KCS
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99