CSD19536KCS

Texas Instruments
595-CSD19536KCS
CSD19536KCS

制造商：

说明：
MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

数据表:
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12
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥44.2508 ¥44.25
¥28.3743 ¥283.74
¥25.8883 ¥2,588.83
¥22.1706 ¥11,085.30
¥21.5039 ¥21,503.90
¥20.4304 ¥51,076.00
5,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
259 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
118 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
NexFET
Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 307 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: CSD19536KCS
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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