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CSD19537Q3

Name: Texas Instruments CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19537Q3
Price: 10.83 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD19537Q3

制造商编号：

CSD19537Q3

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

数据表:

CSD19537Q3 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥12.2379	¥12.24
	¥8.4411	¥84.41
	¥5.5709	¥557.09
	¥4.8816	¥2,440.80
	¥4.4635	¥4,463.50
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥4.0002	¥10,000.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD19537Q3T

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥17.6958

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD19537Q3T

说明：

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSON-CLIP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	14.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.6 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	83 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	3 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
系列:	CSD19537Q3
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	5 ns
单位重量:	24 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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Models

CSD19537Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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ECCN:: EAR99

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