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CSD19537Q3

Name: Texas Instruments CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19537Q3
Price: 13.76 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD19537Q3

制造商编号：

CSD19537Q3

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

数据表:

CSD19537Q3 数据表

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库存量: 3,822

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在途量:: 5,000

预期 2026/6/5

10,000

预期 2026/7/2
生产周期：: 12

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 170

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥15.5488	¥15.55
	¥9.9214	¥99.21
	¥6.6105	¥661.05
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.6105	¥16,526.25

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD19537Q3T

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥18.9388

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD19537Q3T

说明：

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSON-CLIP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	14.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.6 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	83 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	PH
扩散国家:	CN
原产国:	PH
下降时间:	3 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
系列:	CSD19537Q3
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	5 ns
单位重量:	24 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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Models

CSD19537Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
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ECCN:: EAR99

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