CSD23381F4T

Texas Instruments
595-CSD23381F4T
CSD23381F4T

制造商：

说明：
MOSFET 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4

数据表:
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库存量: 771

库存：
771 可立即发货
生产周期：
6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥11.8311 ¥11.83
¥7.458 ¥74.58
¥4.2714 ¥427.14
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥4.2714 ¥1,067.85
¥3.6273 ¥1,813.65
¥3.2544 ¥3,254.40
¥3.1188 ¥7,797.00
¥3.0736 ¥15,368.00
¥3.0171 ¥30,171.00
¥2.9719 ¥74,297.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
CSD23381F4
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥3.2205
最小:
1

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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
2.3 A
970 mOhms
- 8 V, 8 V
950 mV
1.14 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 2 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3.9 ns
系列: CSD23381F4
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
单位重量: 0.400 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
中国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积（0402 外壳尺寸），并有超低电阻（与竞争产品相比低 70%）。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格，并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量，使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗，提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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