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CSD25304W1015

Name: Texas Instruments CSD25304W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015
Price: 6.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD25304W1015

制造商编号：

CSD25304W1015

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

数据表:

CSD25304W1015 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥6.9495	¥6.95
	¥4.3279	¥43.28
	¥2.7911	¥279.11
	¥2.1357	¥1,067.85
	¥1.9323	¥1,932.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.4238	¥4,271.40
	¥1.3334	¥8,000.40
	¥1.3108	¥11,797.20
	¥1.243	¥29,832.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD25304W1015T

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥14.9725

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD25304W1015T

说明：

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSBGA-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Rds On-漏源导通电阻:	92 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.15 V
Qg-栅极电荷:	4.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	750 mW
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	CSD25304W1015
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	6 ns
单位重量:	1.400 mg

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已选择的属性: 0

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合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。