CSD25304W1015T

Name: Texas Instruments CSD25304W1015T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015T
Price: 12.37 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD25304W1015T

制造商编号：

CSD25304W1015T

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

数据表:

CSD25304W1015T 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.9781	¥13.98
	¥8.9383	¥89.38
	¥5.1754	¥517.54
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥5.1754	¥1,293.85
	¥4.3618	¥2,180.90
	¥3.9324	¥3,932.40
	¥3.7855	¥9,463.75
	¥3.503	¥17,515.00
	¥3.4465	¥34,465.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD25304W1015

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥6.4523

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD25304W1015

说明：

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSBGA-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Rds On-漏源导通电阻:	92 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	800 mV
Qg-栅极电荷:	3.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	10 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	CSD25304W1015
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	6 ns
单位重量:	1.700 mg