CSD25310Q2T

Name: Texas Instruments CSD25310Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25310Q2T
Price: 12.81 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD25310Q2T

制造商编号：

CSD25310Q2T

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2

数据表:

CSD25310Q2T 数据表

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.4753	¥14.48
	¥8.9383	¥89.38
	¥5.198	¥519.80
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥5.198	¥1,299.50
	¥4.4635	¥2,231.75
	¥4.0228	¥4,022.80
	¥3.9663	¥9,915.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD25310Q2

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥4.9607

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD25310Q2

说明：

MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSON-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	19.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.1 V
Qg-栅极电荷:	4.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.9 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	34 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
系列:	CSD25310Q2
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
单位重量:	6 mg

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CSD25310Q2 20V P沟道NexFET功率MOSFET

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