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CSD83325LT

Name: Texas Instruments CSD83325LT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD83325LT
Price: 14.2 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD83325LT

制造商编号：

CSD83325LT

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

数据表:

CSD83325LT 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥16.046	¥16.05
	¥10.17	¥101.70
	¥6.8026	¥680.26
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥6.8026	¥1,700.65
	¥5.5709	¥2,785.45
	¥4.8816	¥4,881.60
	¥4.4861	¥11,215.25
	¥4.068	¥20,340.00
	¥4.0228	¥40,228.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD83325L

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥3.8081

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD83325L

说明：

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	8 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	950 mV
Qg-栅极电荷:	8.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.3 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Dual
下降时间:	589 ns
正向跨导 - 最小值:	36 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	353 ns
系列:	CSD83325L
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	711 ns
典型接通延迟时间:	205 ns
单位重量:	1.500 mg

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ECCN:: EAR99

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