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CSD85301Q2

Name: Texas Instruments CSD85301Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85301Q2
Price: 6.22 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-CSD85301Q2

制造商编号：

CSD85301Q2

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T

数据表:

CSD85301Q2 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥7.0286	¥7.03
	¥4.3279	¥43.28
	¥2.825	¥282.50
	¥2.2035	¥1,101.75
	¥1.9549	¥1,954.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.5255	¥4,576.50
	¥1.4012	¥8,407.20
	¥1.2204	¥10,983.60
	¥1.1752	¥28,204.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD85301Q2T

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥14.2267

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD85301Q2T

说明：

MOSFET Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSON-FET-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	8 A
Rds On-漏源导通电阻:	27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	600 mV
Qg-栅极电荷:	5.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.3 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Dual
下降时间:	15 ns, 15 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S, 20 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	26 ns, 26 ns
系列:	CSD85301Q2
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间:	6 ns, 6 ns
单位重量:	9.700 mg

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已选择的属性: 0

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。