CSD85301Q2

Texas Instruments
595-CSD85301Q2
CSD85301Q2

制造商：

说明：
MOSFET CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T

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0

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在途量:
5,930
预期 2026/5/6
9,000
预期 2026/7/27
生产周期：
12
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 450
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥6.8704 ¥6.87
¥4.2149 ¥42.15
¥2.7572 ¥275.72
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.7572 ¥8,271.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
CSD85301Q2T
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥14.4753
最小:
1

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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-FET-6
N-Channel
2 Channel
20 V
8 A
27 mOhms
- 10 V, 10 V
600 mV
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 15 ns, 15 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S, 20 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 26 ns, 26 ns
系列: CSD85301Q2
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间: 6 ns, 6 ns
单位重量: 9.700 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

Product Catalogs

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

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