CSD85302LT

Texas Instruments
595-CSD85302LT
CSD85302LT

制造商:

说明:
MOSFET 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302L A 5 A 595-CSD85302L

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-4
N-Channel
2 Channel
20 V
7 A
24 mOhms
10 V
680 mV
6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.7 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
下降时间: 99 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 54 ns
系列: CSD85302L
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 173 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
单位重量: 1.200 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩,采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷,以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻,只需极低的栅极电荷,且需要采用行业标准封装外形,这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
12 周 预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按250的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥14.1476 ¥14.15
¥9.0174 ¥90.17
¥5.2319 ¥523.19
整卷卷轴(请按250的倍数订购)
¥5.2319 ¥1,307.98
¥4.4861 ¥2,243.05
¥4.0454 ¥4,045.40
¥4.0002 ¥10,000.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥7.2772
最小:
1

类似产品

Texas Instruments CSD85302L
Texas Instruments
MOSFET 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT