CSD87313DMST

Texas Instruments
595-CSD87313DMST
CSD87313DMST

制造商：

说明：
MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 904

库存：
904 可立即发货
生产周期：
6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥24.069 ¥24.07
¥16.4641 ¥164.64
¥9.266 ¥926.60
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥9.266 ¥2,316.50
¥8.0682 ¥4,034.10
¥7.797 ¥7,797.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WSON-8
N-Channel
2 Channel
30 V
17 A
5.5 mOhms
- 10 V, 10 V
600 mV
28 nC
- 55 C
+ 150 C
2.7 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
下降时间: 13 ns, 13 ns
正向跨导 - 最小值: 149 S, 149 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 27 ns, 27 ns
系列: CSD87313DMS
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns, 41 ns
典型接通延迟时间: 9 ns, 9 ns
单位重量: 5.500 mg
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已选择的属性: 0

数据表

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

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