CSD87313DMST

Name: Texas Instruments CSD87313DMST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMST
Price: 23.64 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-CSD87313DMST

制造商编号：

CSD87313DMST

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

数据表:

CSD87313DMST 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥26.7132	¥26.71
	¥17.289	¥172.89
	¥10.4186	¥1,041.86
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥10.4186	¥2,604.65
	¥9.0965	¥4,548.25
	¥8.9383	¥8,938.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD87313DMS

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥19.7637

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD87313DMS

说明：

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	600 mV
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.7 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Dual
组装国:	PH
扩散国家:	CN
原产国:	PH
下降时间:	13 ns, 13 ns
正向跨导 - 最小值:	149 S, 149 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	27 ns, 27 ns
系列:	CSD87313DMS
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	41 ns, 41 ns
典型接通延迟时间:	9 ns, 9 ns
单位重量:	5.500 mg