LMG3522R030RQST

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Mouser编号：

595-LMG3522R030RQST

制造商编号：

LMG3522R030RQST

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 650-V 30-m? GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting 52-VQFN -40 to 150

寿命周期:

受限供货情况:

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数据表:

LMG3522R030RQST 数据表

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
产品:	Driver ICs - Various
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-52
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
电源电压-最小:	7.5 V
电源电压-最大:	18 V
配置:	Non-Inverting
上升时间:	4.3 ns
下降时间:	22 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	LMG3522R030
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
特点:	Robust Protection
最大关闭延迟时间:	69 ns
最大开启延迟时间:	54 ns
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	15.5 mA
输出电压:	5 V
产品类型:	Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻:	26 mOhms
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	250
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si

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已选择的属性: 0

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET

Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器。LMG3522R030/LMG3522R030-Q1集成有硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns 之间，这可用于主动控制EMI并优化开关性能。