LMG3526R030RQST

Texas Instruments
595-LMG3526R030RQST
LMG3526R030RQST

制造商：

说明：
栅极驱动器 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 46

库存：
46
可立即发货
在途量:
250
预期 2026/3/4
生产周期：
12
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥262.1261 ¥262.13
¥239.6278 ¥2,396.28
¥228.8702 ¥5,721.76
¥204.7221 ¥20,472.21
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥192.5633 ¥48,140.83
¥189.2524 ¥94,626.20
1,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
SMD/SMT
2.8 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3526R030
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
工厂包装数量: 250
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
商标名: GaN
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

带集成驱动器的LMG3526R030氮化镓场效应晶体管 (FET)

Texas Instruments带集成驱动器的LMG3526R030氮化镓场效应晶体管具有保护功能，设计用于开关模式电源转换器，使设计人员能够实现更高水平的功率密度和效率。LMG3526R030集成了硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这一集成功能与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑结构中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制EMI并优化开关性能。

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