LMG3526R050RQST

Name: Texas Instruments LMG3526R050RQST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R050RQST
Price: 173.7 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-LMG3526R050RQST

制造商编号：

LMG3526R050RQST

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 650-V 50-mOhm GaN FE T With Integrated D

数据表:

LMG3526R050RQST 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按250的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥196.281	¥196.28
	¥156.9118	¥1,569.12
	¥147.1486	¥3,678.72
	¥136.3119	¥13,631.19
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥112.9887	¥28,247.18

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
REACH - SVHC:
产品:	GaN FET
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-52
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	LMG3526R050
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
输入电压 - 最大值:	18 V
输入电压 - 最小值:	7.5 V
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	250
子类别:	PMIC - Power Management ICs

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

LMG3526R050 650 V GaN FET

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供超小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在15V/ns至150V/ns之间。这可用于主动控制EMI并优化开关性能。