LMG5200MOFT

Texas Instruments
595-LMG5200MOFT
LMG5200MOFT

制造商：

说明：
栅极驱动器 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR

数据表:
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供货情况

库存：
0

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在途量:
457
预期 2026/7/30
生产周期：
12
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥140.4477 ¥140.45
¥111.5875 ¥1,115.88
¥104.3103 ¥2,607.76
¥96.3664 ¥9,636.64
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥92.5583 ¥23,139.58
¥89.0892 ¥44,544.60
¥88.8406 ¥88,840.60
2,500 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:
LMG5200MOFR
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥121.4298
最小:
1

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产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFM-9
1 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG5200
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 3 mA
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 15 Ohms
工厂包装数量: 250
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
商标名: GaN
单位重量: 2.338 g
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG5200 80V GaN半桥功率级

Texas Instruments LMG5200 80V GaN半桥功率级借助增强模式氮化镓 (GaN) FET提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个80V GaN FET，它们由采用半桥配置的同一高频GaN FET驱动器提供驱动。GaN FET在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容CISS也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。该器件的输入与TTL逻辑兼容，并且无论VCC电压如何，最高都能够承受12V的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaN FET的栅极电压处于安全的工作范围内。

氮化镓 (GaN)

Texas Instruments氮化镓 (GaN) 解决方案具有高效率、高功率密度和高可靠性等特点。Texas Instruments GaN产品组合包含控制器、驱动器、稳压器的功耗低，提供端对端功率转换，开关频率为5MHz。

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