TMAG5111C4AQDBVR

Texas Instruments
595-TMAG5111C4AQDBVR
TMAG5111C4AQDBVR

制造商：

说明：
板机接口霍耳效应/磁性传感器 High-sensitivity 2D dual-channel spee TM TMAG5111C4AQDBVT

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Texas Instruments TMAG5111C4AQDBVR详情
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 板机接口霍耳效应/磁性传感器
发货限制：
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
2D Latch
6 mA
110 mA
0.8 mT to 5.3 mT
- 5.3 mT to - 0.8 mT
2.5 V to 38 V
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
SOT-23-5
TMAG5111
Reel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
输出类型: Open Drain
输出电压: 0 V to 38 V
产品类型: Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
工厂包装数量: 3000
子类别: Sensors
电源电压-最大: 38 V
电源电压-最小: 2.5 V
端接类型: Solder
带开关: Without Switch
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

TMAG511x/TMAG511x-Q1双霍尔效应锁存器

Texas Instruments TMAG511x/TMAG511x-Q1二维双霍尔效应锁存器采用2.5V至38V电源供电。这些器件设计用于高速、高温电机应用，优化用于采用旋转磁体的应用。TMAG511x/TMAG511x-Q1集成了两个传感器和两个独立的信号链，具有两个独立的数字输出，提供速度和方向计算 (TMAG5111) 或直接提供每个独立锁存器的数字输出 (TMAG5110)。这种高集成度支持使用单个TMAG511x/TMAG511x-Q1器件，而不是两个单独的锁存器。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。