UCC27211AQDRQ1

Name: Texas Instruments UCC27211AQDRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27211AQDRQ1
Price: 28.26 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

595-UCC27211AQDRQ1

制造商编号：

UCC27211AQDRQ1

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 Automotive 4-A 120- V half bridge gate d

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

UCC27211AQDRQ1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Texas Instruments UCC27211AQDRQ1详情

库存量: 2,858

库存：: 2,858 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 12 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 25

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥31.9338	¥31.93
	¥21.6734	¥216.73
	¥20.0123	¥500.31
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥20.0123	¥60,036.90

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	2 Output
输出电流:	3.7 A, 4.5 A
电源电压-最小:	8 V
电源电压-最大:	17 V
配置:	Non-Inverting
上升时间:	7.2 ns
下降时间:	5.5 ns
最小工作温度:	- 50 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	UCC27211A
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MX
逻辑类型:	CMOS, TTL
最大关闭延迟时间:	17 ns
最大开启延迟时间:	17 ns
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	3 mA
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	42 ns
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	3000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

UCC27211AQDRQ1 数据表

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.