SSM14N956L,EFF

Name: Toshiba SSM14N956L,EFF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM14N956LEFF
Price: 16.32 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

757-SSM14N956LEFF

制造商编号：

SSM14N956L,EFF

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET 12V Common Drain MOSFET Rss(on): 1.1mOhm

数据表:

SSM14N956L,EFF 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Rds On-漏源导通电阻:	1.35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Qg-栅极电荷:	76 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.33 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Toshiba
配置:	Dual
下降时间:	2.1 us
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1.3 us
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	3.8 us
典型接通延迟时间:	1 us

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已选择的属性: 0

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Application Notes

Propose MOSFET Optimized for Protection Circuitry of Lithium-Ion

Product Catalogs

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SSM14N956L MOSFET

Toshiba SSM14N956L MOSFET具有低源-源导通电阻，符合RoHS指令。SSM14N956L MOSFET不含卤素。此MOSFET可在(t ≤ 10s)的条件下提供2.44W功率，并在150°C通道温度和-55°C至150°C存储温度范围内工作。R_SS(ON) = 1.1mΩ（典型值）（@V_GS = 3.8V）和R_SS(ON) = 1mΩ（典型值）（@V_GS = 4.5V）是低源-源导通电阻。此SSM14N956L MOSFET非常适用于电池保护电路。

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库存量: 17,833

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生产周期：: 24 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥18.4416	¥18.44
	¥11.8311	¥118.31
	¥7.9891	¥798.91
	¥6.3619	¥3,180.95
	¥5.5709	¥5,570.90
	¥5.4805	¥13,701.25
	¥5.3675	¥26,837.50
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥5.198	¥51,980.00

SSM14N956L,EFF

制造商： Toshiba

说明： MOSFET 12V Common Drain MOSFET Rss(on): 1.1mOhm

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