TK100L60W,VQ

Toshiba
757-TK100L60WVQ
TK100L60W,VQ

制造商：

说明：
MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

数据表:
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库存量: 74

库存：
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥250.634 ¥250.63
¥191.8175 ¥1,918.18
¥177.4213 ¥17,742.13
2,500 报价

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
100 A
15 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
360 nC
- 55 C
+ 150 C
797 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 125 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 130 ns
系列: TK100L60
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 690 ns
典型接通延迟时间: 230 ns
单位重量: 7 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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