TK10A60W,S4VX

Toshiba
757-TK10A60WS4VX
TK10A60W,S4VX

制造商:

说明:
MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

ECAD模型:
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库存量: 79

库存:
79 可立即发货
生产周期:
32 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥15.2211 ¥15.22
¥11.413 ¥114.13
¥11.0062 ¥1,100.62
¥10.7576 ¥5,378.80
¥10.3395 ¥10,339.50
10,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
327 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 5.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 22 ns
系列: TK10A60W
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.