TK10P60W,RVQ

Toshiba
757-TK10P60WRVQ
TK10P60W,RVQ

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 449

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥28.6229 ¥28.62
¥15.3906 ¥153.91
¥13.1532 ¥1,315.32
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥12.5769 ¥25,153.80
10,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
380 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
80 W
Enhancement
DTMOSIV
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 5.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 22 ns
系列: TK10P60W
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 330 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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