TK12A80W,S4X

Toshiba
757-TK12A80WS4X
TK12A80W,S4X

制造商:

说明:
MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

ECAD模型:
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库存量: 2,476

库存:
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生产周期:
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥33.5836 ¥33.58
¥16.3737 ¥163.74
¥14.9725 ¥1,497.25
¥14.3962 ¥35,990.50

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
11.5 A
380 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 40 ns
系列: TK12A80W
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.